AI时代算力需求的提升必然带动存力需求的提升，除此之外，对于国内产业链而言，还叠加了新一轮国产替代的驱动。

全球存储市场在万亿以上，存储器核心是DRAM和NAND，DRAM可以理解为内存，作用是运行软件，主要应用于电脑、服务器；NAND就是对应硬盘、光盘、U盘，作用是存储数据，广泛应用于消费电子领域。两者规模相近，全球都有接近5000亿人民币的市场规模，并且仍然保持每年近10%的速度增长。

第一，从产业周期角度来看，目前已经是存储器周期的底部，2023年三季度起各类存储产品价格有望止跌回暖。

近期存储价格的领跌与手机、服务器整体出货承压相关，从消费级市场数据来看，颗粒价格基本见底，但需求层面没看到明显放量，随着供需关系的改善尤其是供给侧的减产，2023年三季度起各类存储产品价格有望止跌回暖。

第二，从国产替代、产业链转移角度来看，存储器国产替代空间巨大，可能驱动国内存储产业链跨越周期波动。

DRAM方面，目前三星（韩国）、美光（美国）、海力士（韩国）占据了95%的市场份额，市场份额分别为45%、25%、25%。

合肥长鑫是国内最大DRAM IDM厂商，19nm DRAM已稳定量产，17nm 产品研发稳步推进中，公司是全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，但目前仍处于DDR4内存技术阶段，海外龙头如海力士目前已经量产10nm DDR5内存，合肥长鑫与海外龙头技术仍相差较大，其产品目前仍是在中低端场景中进行国产替代。

NAND方面，目前三星（韩国）、铠侠（日本）、海力士（韩国）、西部数据（美国）、美光（美国）占据了97%的市场份额，分别为34%、19%、17%、16%、11%。

长江存储为国内最大的NAND厂商，其市场份额低于5%，远低于三星、海力士。在工艺水平方面，全球近期已经开始大规模量产232层NAND，在工艺制程上，美光是目前主要产能制程最高的公司，三星和海力士预计将在第二季度逐步转进200层以上的工艺，长江存储的NAND工艺已逐步赶上国际领先水平，但在存储颗粒稳定性、接口速率方面，仍落后于海外厂商。

第三，从AI驱动来看，HBM新技术是核心。

HBM理论上来说，核心是一种新的封装工艺，基于3D堆栈工艺使得DRAM与GPU紧密结合，形成高性能的DRAM，从而实现超高带宽。最新的HBM3带宽可以达到819GB/s，而最新的普通DRAM带宽只有96GB/s，所以HBM是AI芯片的天选服务器，英伟达、AMD最新的产品里都大量使用了HBM存储器。

从价格来看，今年年后HBM3存储器的价格已经上涨5倍，不仅在存储产业链里面逆市上涨，并且远远高于其他AI硬件的价格涨幅。