根据行业数据,上周DRAM18个品类现货价格平均涨跌幅为-0.4%,前值为-0.8%,现货价格跌幅放缓,基本企稳。NAND 37个品类现货平均价格涨跌幅为0%,前值为-0.4%,NAND大多型号价格呈持平或弱修复趋势,其中DDR5周涨幅0.1%,核心原因是由于AI服务器对高端产品需求增加,以DDR5和HBM为代表的高端存储产品复苏。上周三星在其法说会上表示将延长减产行动,并调整NAND等特定产品的产出;海力士上周也表示额外减少5-10%的NAND产量,此前美光也宣布进一步减产DRAM与NAND至少30%产能,持续到24年。在需求端弱复苏背景下,行业龙头持续减产,存储器价格近期已经表现跌幅持续放缓,并逐渐企稳的趋势,行业周期拐点有望提前。此前报道,存储器原厂计划在今年三季度全面涨价,涨幅5%~30%不等,主要原因在于三季度中下旬,随着减产效应生效,市场需求回暖,从而由芯片原厂逐渐影响成品端的定价,存储行业整体在三季度有望迎来周期性拐点。除了周期性复苏外,受益AI对高端存储需求的释放,存储中的部分品种如HBM需求持续高景气。8月1日消息,行业人士透露,三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张,两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元,使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。在周期复苏与AI需求释放双轮驱动下,存储行业有望率先走出行业底部,在下半年实现业绩逐季修复,二季度或是行业基本面低点,从目前已经披露的存储行业核心公司业绩来看,二季度行业营收端已经率先平均超20%的环比修复,预计三季度随着涨价落地,利润端将呈现环比修复。
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